Giant self-induced transparency of intense few-cycle terahertz pulses in n-doped siliconстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.
Аннотация:The results of high-field terahertz transmission experiments on ����n-doped silicon (carrier concentration of 8.7×1016 cm−38.7×1016 cm−3) are presented. We use terahertz pulses with electric field strengths up to 3.1 MV cm−13.1 MV cm−1 and a pulse duration of 700 fs. A huge transmittance enhancement of ∼90∼90 times is observed with increasing of the terahertz electric field strengths within the range of 1.5–3.1 MV cm−11.5–3.1 MV cm−1.