Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля δ-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAsстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Установлено, что в тонком слое сплава Ga1-x Mnx As (δ-слое Mn) в гетероструктурах, содержащих квантовую яму InGaAs/GaAs, может существовать ферромагнитное упорядочение двух типов в зависимости от геометрии образцов. В сингулярных образцах, в которых δ-слой Mn параллелен плоскости (001) GaAs, наблюдается «блоховская» температурная зависимость намагниченности «3/2», в вицинальных образцах с отклонением δ-слоя Mn от плоскости (001) GaAs наблюдается «перколяционный» ферромагнитный переход. Обнаружено, что поляризация фотолюминесценции квантовой ямы следует изменениям намагниченности δ-слоя Mn в зависимости от температуры по «блоховскому» закону в сингулярных образцах и по «перколяционному» закону в вицинальных образцах.