|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electrical and Photoelectric Properties of a-Si:H Layered Films: The Influence of Thermal Annealingстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 апреля 2015 г.
- Авторы: Kurova I.A., Ormont N.N., Terukov E.I., Trapeznikova I.N., Afanas’ev V.P., Gudovskikh A.S.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 35
- Номер: 3
- Год издания: 2001
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 353
- Последняя страница: 356
- Аннотация: The electrical and photoelectric properties of layered a-Si:H films obtained by cyclic plasmochemical deposition and the effect of thermal annealing on these properties have been studied. Unannealed films demonstrate high photosensitivity, with a photoconductivity to dark conductivity ratio of K = 3.4x106. Increasing the annealing temperature causes the film photosensitivity to fall because of a considerable decrease in the photoconductivity and increase in the dark conductivity. For films annealed at temperatures above 500°C, the conductivity is the sum of the band conductivity and the hopping conductivity via states at the Fermi level.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна