|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
РЕНТГЕНОВСКАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ И ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СВЕРХРЕШЕТОК С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯтезисы доклада
- Авторы: Жигунов Д.М., Каменских И.А., Лебедев∗ А.М., Чумаков Р.Г., Логачев Ю.А., Якунин С.Н., Кашкаров П.К.
- Сборник: Сборник тезисов докладов Совещания пользователей Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований (20 – 23 ноября 2017 года)
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Изд-во Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Москва
- Первая страница: 42
- Последняя страница: 42
- Аннотация: Исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1–1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150◦С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение RFMEFI61614X0006).
- Добавил в систему: Каменских Ирина Александровна