Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Метод детектирования протяженных поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах Pb1-xSnxSe с помощью лазерного терагерцового излучения. труды симпозиума
статья
Авторы:
Егорова С.Г.
,
Черничкин В.И.
,
Рябова Л.И.
,
Скипетров Е.П.
,
Яшина Л.В.
,
Данилов С.Н.
,
Ганичев С.Д.
,
Хохлов Д.Р.
Сборник:
Материалы XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»
Том:
2
Год издания:
2015
Место издания:
Нижний Новгород
Первая страница:
697
Последняя страница:
698
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович