|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTe1-xSex and In1-xGaxTeстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Lebedev A.I., Michurin A.V., Sluchinskaya I.A., Demin V.N., Munro I.H.
- Журнал: Journal of Physics and Chemistry of Solids
- Том: 61
- Номер: 12
- Год издания: 2000
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 2007
- Последняя страница: 2012
- DOI: 10.1016/S0022-3697(00)00196-7
- Аннотация: The local environment of Ga, Se and Tl atoms in InTe-based solid solutions was studied by EXAFS technique. It was shown that all investigated atoms are substitutional impurities, which enter the In(1), Te and In(2) positions in the InTe structure, respectively. The electrical measurements revealed that In1−xGaxTe and InTe1−xSex solid solutions become semiconductors at x>0.24 and >0.15, respectively.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович