|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Электронная структура сплавов Pb1-x-ySnxVyTe под давлениемтезисы доклада
- Авторы: Голованов А.Н., Скипетров Е.П.
- Сборник: Тезисы докл. XII всероссийской молодежн. конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С.-Петербург, Россия, 2010
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 10
- Аннотация: Для определения характера перестройки электронной структуры под давлением в настоящей работе исследованы гальваномагнитные свойства (T=4.2-300 K, B≤7 Тл) Pb1-x-ySnxVyTe при гидростатическом сжатии до 15 кбар. Установлено, что под действием давления происходят уменьшение энергии активации уровня ванадия ΔEV и n-p-конверсия типа проводимости в области гелиевых температур. При этом на температурных зависимостях коэффициента Холла RH(T) появляется p-n-инверсия знака RH при понижении температуры, а точка инверсии монотонно сдвигается в сторону высоких температур по мере увеличения давления. При критическом давлении P*≈7 кбар величина ΔEV обращается в нуль и происходит переход типа диэлектрик-металл. Дальнейшее увеличение давления приводит к уменьшению удельного сопротивления при T=4.2 K и увеличению концентрации носителей заряда, определенной по величинам коэффициента Холла и периода осцилляций Шубникова-де Гааза. Полученные результаты использованы для определения скорости движения уровня ванадия относительно краев разрешенных зон под давлением. Предложена модель перестройки электронной структуры, предполагающая пересечение уровня ванадия с серединой запрещенной зоны и его последующее движение в сторону валентной зоны под действием давления, а также монотонный сдвиг уровня в обратную сторону при увеличении температуры.
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович