|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Deposition of 63Ni onto a Semiconductor Structure of Power Cellsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 мая 2018 г.
- Авторы: Kharitonov I.D., Merkushkin A.O., Veretennikova G.V., Magomedbekov E.P., Kalmykov S.N.
- Журнал: Radiochemistry
- Том: 60
- Номер: 1
- Год издания: 2018
- Издательство: Pleiades Publishing, Inc.
- Местоположение издательства: New York, USA
- Первая страница: 23
- Последняя страница: 25
- DOI: 10.1134/S1066362218010046
- Аннотация: A procedure was developed for electrochemical deposition of 63Ni onto the surface of a siliconbased semiconductor converter. A special electrochemical cell allowing the electrolysis to be performed in an inert atmosphere was developed. The principal possibility of preparing Ni metal films of preset thickness on the surface of a semiconductor converter was demonstrated.
- Добавил в систему: Веретенникова Галина Владимировна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 9493eng.pdf | 1,0 МБ | 22 января 2018 [Veretennikova_Galina] |