Особенности получения тонких эпитаксиальных пленок CeO2 в качестве завершающего буферного слоя для ВТСП-проводов 2-го поколения

Лелюк, Д.П.

Автор: Лелюк Д.П.
Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2012»
Редакторы: Андреев А.И., Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович, Чистякова М.В.
Тезисы
Год издания: 2012
Издательство: ООО "МАКС Пресс"
Местоположение издательства: Москва
Аннотация: Одним из наиболее перспективных подходов к созданию ВТСП проводов второго поколения является метод химического осаждения из газовой фазы на биаксиально-текстурированные ленты из металлических сплавов (CVD-RABiTS), предполагающий изначальное формирование текстуры в металлической ленте с последующей ее передачей за счет явления гетероэпитаксии через буферные слои к пленке YBa2Cu3O7-x. Химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) – одна из многих, доступных в настоящее время, технологий получения сверхпроводников состава YBa2Cu3O7-x (YBCO). Физические методы осаждения пленок, такие как лазерная абляция, испарение и магнетронное распыление, характеризуются низкой скоростью осаждения, требуют высоковакуумных условий, накладывают некоторые ограничения на размеры и обеспечивают рост пленки лишь на одной стороне подложки. Эти ограничения делают затратным использование этих методов для промышленного получения пленок YBCO в виде длинных лент и проводов. Метод MOCVD лишен этих недостатков, поэтому может быть эффективно применен для осаждения тонких пленок YBCO, а также буферных слоев и создания сверхпроводящих проводов второго поколения. Перспективным оксидным материалом, способным выступать в качестве буфера, является CeO2, имеющий структуру флюорита и способный образовывать эпитаксиальные пленки на текстурированных подложках из никелевых сплавов. Его кубическая элементарная ячейка имеет хорошее эпитаксиальное соотношение с YBa2Cu3O7-x. Непосредственное нанесение CeO2 на ленту из сплава Ni(Cr,W) представляется невозможным по причине окисления поверхности ленты, приводящего к нарушению текстуры пленки. Для решения этой проблемы использовалась комбинация промежуточных буферных слоев MgO (защищающего подложку от окисления) и SrF2 (имеющего, как и CeO2, структуру флюорита). На таких гетероструктурах были получены текстурированные пленки CeO2 . В ходе работы был проведен синтез диглимового аддукта гексафторацетилацетоната церия (III) и его очистка. Полученный комплекс Ce(hfa)3*diglyme был использован в качестве прекурсора для осаждения тонких пленок CeO2 на металлические ленты на основе сплава Ni(Cr,W) с нанесенными слоями MgO и SrF2. Полученные образцы с нанесенным CeO2 были проанализированы с помощью рентгено-дифракционного анализа (2θ/ω-сканирование, φ-сканирование, ω-сканирование) и сканирующей электронной микроскопии. На основании полученных данных была обоснована необходимость некоторых условий нанесения и исследовано влияние температуры реактора и скорости подачи прекурсора на текстуру получаемых пленок.
Добавил в систему: Лелюк Дарья Петровна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Особенности получения тонких эпитаксиальных пленок CeO2 в качестве завершающего буферного слоя для ВТСП-проводов 2-го поколениятезисы доклада

Прикрепленные файлы