Photoluminescence properties of silicon nanocrystals grown by nanosecond laser ablation of solid-state targets in an inert gas atmosphereстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 марта 2018 г.
Аннотация:Установлено, что кинетика спада интенсивности фотолюминесценции нанокристаллического
слоев кремния, сформированных наносекундной лазерной абляции кремниевых мишеней в атмосфере гелия
имеет степенной закон с показателем от 0,9 до 1,5 в зависимости от температуры и энергии фотона люминесценции в диапазоне 1.4–1.8 эВ, что указывает на рекомбинацию носителей заряда, контролируемую процессами диссипативного туннелирования в кремниевых нанокристаллических ансамблях.