|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О возможности разработки ГСО времени жизни неравновесных носителей заряда монокристаллического кремниястатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Кобелева С.П., Лагов П.Б., Щемеров И.В.
- Журнал: Стандартные образцы
- Номер: 3
- Год издания: 2013
- Издательство: Федеральное государственное унитарное предприятие "Уральский научно-исследовательский институт метрологии"
- Местоположение издательства: Екатеринбург
- Первая страница: 10
- Последняя страница: 15
- Аннотация: В работе анализируются методы измерения времени жизни неравновесных носителей заряда полупроводниковых материалов, рекомендованные отечественными и международными стандартами. Приведено описание комплекта СОП «Гиредмет» постоянной времени релаксации фотопроводимости монокристаллического кремния (интервал времени релаксации от 17 до 1 588 мкс) и результаты измерений этого комплекта на установках бесконтактного СВЧ-метода измерения спада фотопроводимости, выпущенных тремя фирмами. Комплект регламентирует измерение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда (различие получено за счет изменения толщины образцов с непассивированной поверхностью), в то время как полупроводниковая отрасль нуждается в определении объемного времени жизни неравновесных носителей заряда. Проведен анализ значительных расхождений (до 95 %) результатов измерений с номиналами СОП. Предложена концепция создания эталона и ГСО времени жизни монокристаллического кремния.
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович