Экспериментальные результаты и расчетные оценки повышения радиационной стойкости и улучшения комплекса параметров транзисторных структур, подверженных "глубокому" облучению быстрыми электронами

Ладыгин, Е.А.; Лагов, П.Б.

Авторы: Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
Номер: 1-2
Год издания: 2000
Издательство: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов"
Местоположение издательства: Лыткарино
Первая страница: 70
Последняя страница: 73
Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования и расчетных оценок влияния режимов операций облучения быстрыми (6 МэВ) электронами и термического отжига на радиационную стойкость к статическому и импульсному излучению и электрические параметры транзисторных структур. Разработаны оптимальные режимы радиационной и термической обработки, применение которых позволяет наряду с повышением радиационной стойкости эффективно регулировать и улучшать комплекс статических и динамических параметров транзисторов, а также значительно уменьшить их зависимость от уровня инжекции и температуры.
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Прикрепленные файлы