|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Optical properties of ion-doped ZnO(Se) layers in the context of band anticrossing theoryстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 февраля 2018 г.
- Авторы: Morozova N.K., Galstyan V.G., Volkov A.O., Mashchenko V.E.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 49
- Номер: 9
- Год издания: 2015
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1134
- Последняя страница: 1139
- DOI: 10.1134/s1063782615090225
- Добавил в систему: Мащенко Владислав Евдокимович