|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ПОЛНОТА ОБРАЩЕНИЯ ПОТОКОВ ПРИ ХИМИЧЕСКОМ ИЗОТОПНОМ ОБМЕНЕ В СИСТЕМЕ SIF4 - КОМПЛЕКСНОЕ СОЕДИНЕНИЕ SIF4·M(CH3)3PO4статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Федорова С.Н., Золотарев М.А., Хорошилов А.В.
- Журнал: Перспективные материалы
- Номер: 8
- Год издания: 2010
- Издательство: Интерконтакт Наука
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 315
- Последняя страница: 319
- Аннотация: Для разделения изотопов кремния методом химического обмена изучен процесс термической диссоциации (десорбции) комплексного соединения тетрафторида кремния с триметилфосфатом SiF4·m(CH3)3PO4. Исследовано влияние градиента температуры по высоте насадочного слоя десорбера на полноту обращения потоков с определением остаточной концентрации кремния в комплексообразователе фотометрическим методом и методом атомно- эмиссионной спектроскопии. Показано влияние градиента температуры на остаточную концентрацию кремния, изменяющуюся в интервале 20 - 1·103 мкг/мл и установлен режим работы десорбера, позволяющий минимизировать потери кремния в процессе термического обращения потоков фаз. The process of thermal dissociation (desorption) of complex compound of silicon tetrafluoride with trimethyl phosphate SiF4·m(CH3)3PO4 is studied relation to the problem of silicon isotope separation by chemical exchange. The effect of temperature gradient on the height of a packed layer of desorber to completeness of flow reflux investigated with definition of the residual concentration of silicon in the complex by photometric method and by atomic emission spectroscopy. The effect of temperature gradient to the residual concentration of silicon which varies in the range 20 - 1·103 mcg/ml has been shown and operating conditions of desorber was defined, which minimizes the loss of silicon during thermal flow reflux.
- Добавил в систему: Хорошилов Алексей Владимирович