|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Контроль светодиодных эпитаксиальных гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN и эффективных светодиодов на их основетезисы доклада
- Автор: Юнович А.Э.
- Сборник: Сборник инновационных проектов Физического факультета МГУ
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: Москва
- Первая страница: 78
- Последняя страница: 80
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович