|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов ИС и БИС: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом: Учебно-методическое пособиекнига
- Авторы: Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
- Год издания: 2000
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Объём: 56 страниц
- Учебно-методическая литература
- Аннотация: В пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т. д. В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPICE. Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются.
- Добавил в систему: Павлов Юрий Сергеевич