ИСТИНА

В НТО излагаются материалы и результаты выполненной работы по развитию расчетно-экспериментальных методов выявления критических силовых элементов ЭКБ, неустойчивых к дозовой деградации. Проанализированы критические зоны, чувствительные к радиации, в МДП и МОП-транзисторах. Проведенный анализ показывает, что деградация статических параметров МОП-транзисторов объясняется в основном двумя эффектами, не исчезающими при облучении: накопление положительного заряда в подзатворном диэлектрике и увеличение плотности быстрых поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник.