ИСТИНА

На первом этапе проекта была отработана технология роста пленок диоксида ванадия на сапфировых и кремниевых подложках методами импульсного лазерного осаждения. Получены плёнки в диапазоне толщин 30-300 нм. Проведены систематические исследования гистерезиса пропускания терагерцового излучения полученных пленок вблизи температуры фазового перехода для излучения импульсного ТГц спектрометра с центральной длиной волны 0.8 ТГц и для квантово-каскадного лазера на частоте 3 ТГц. Для лучших образцов получено уменьшение пропускания в 13 раз в ходе фазового перехода в проводящее состояние плёнки. Обнаружено уменьшение регистрируемой температуры фазового перехода и уменьшение ширины петли гистерезиса при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на пленку. Впервые был исследован гистерезис температурной зависимости генерации ТГц излучения в таких плёнках. Для широкого диапазона мощностей излучения накачки обнаружено наличие локального минимума генерации в области фазового перехода. Параллельно было измерено изменение коэффициентов пропускания и отражения оптического излучения от пленок для ряда длин волн. Проведены в широком температурном диапазоне эксперименты по динамике фотопроводимости плёнок VO2 в схеме оптической накачки - терагерцового зондирования. Часть плёнок модифицировалась осаждением слоя органического красителя на поверхность. Для пленок с нанесенным слоем красителя сдвиг температуры фазового перехода при облучении маломощным излучением на длине волны поглощения красителя не превышал 1°С и оставался в пределах погрешности метода измерения. Кроме того, были исследованы спектры пропускания ТГц излучения для кремниевых наночастиц, в том числе, при оптическом возбуждении фемтосекундным лазерным излучением, для дальнейшего их применения в управляемых элементах терагерцовой оптики. Результаты выполнения проекта опубликованы в двух статьях в рецензируемых журналах и доложены на пяти докладах на российских и международных конференциях