|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование совершенства, энергетического спектра и примесных состояний в узкощелевых полупроводниках для фотодиодных структур, макетирование приемника.отчет
- Авторы: Брандт Н.Б., Богданов Е.В., Чесноков С.Н.
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Подразделение: Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
- Номер: 0288.0 030947
- Год выпуска: 1987
- Количество страниц: 84
-
Аннотация:
Исследованы электрические и оптические свойства полупроводников на основе материалов группы А3В5 и им подобных. работа связана с поиском перспективных для оптоэлектроники материалов и выяснением возможности создания на основе узкощелевых полупроводников элементов ИК-техники. Разработан, изготовлен и испытан макет фотоприемника на основе обладающего эффектом задержанной фотопроводимости легированного индием сплава свинец-олово-теллур. Фотоприемник обладает высокой обнаружительной способностью и может быть использован в диапазоне 1 - 50 мкм.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович