ИСТИНА

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы начальные стадии адсорбции молекул фторированных фуллеренов C60F18 и C60F36 на поверхностях полупроводников Si(111)-7х7, Si(100)-2х1 и на поверхности тонких эпитаксиальных пленок Au(111). С целью определения степени взаимодействия молекул фтор-фуллеренов с подложкой результаты измерений были дополнены компьютерным моделированием на базе первопринципных расчетов. Кроме того, был проведен анализ перераспределения заряда в молекулах и молекулярных комплексах. При моделировании процессов перераспределения заряда между энергетическими уровнями, реальные молекулы были заменены искусственными модельными системами на базе связанных одноуровневых квантовых точек, взаимодействующих с состояниями непрерывного спектра резервуара (полупроводниковой или металлической подложки).