ИСТИНА

Ученые с химического факультета МГУ в сотрудничестве с коллегами из Института общей и неорганической химии имени Н.С. Курнакова (ИОНХ) РАН нашли способ эффективно выявлять нарушения в целостности редокс-активных пленок гексацианоферратов переходных металлов. В работе продемонcтрировано, что метод спектроскопии электрохимического импеданса может выступать в качестве независимого метода оценки сплошности покрытия электрода. Показано, что падение сопротивления переноса заряда с увеличением количества осаждаемого вещества, что, казалось бы, противоречит закону Ома, обусловлено увеличением площади границы электрод-материал, а увеличение количества осаждаемого вещества в широком диапазоне не приводит к увеличению сопротивления при условии сплошности покрытия. Предлагаемый подход позволяет отказаться от методов электронной микроскопии для исследования сплошности редокс-активных покрытий, что не только делает процесс анализа поверхности менее трудоемким, ресурсо- и времязатратным, но и позволяет исследовать образцы сложной геометрии, что зачастую невозможно осуществить микроскопическими методами.