ИСТИНА

Ryzhii V.I.

Соавторы: Захарова А.А., Ершов М.Ю., Gulyaev Y.V., Khrenov G., Moskotin M.V., Rybin M.G., Vasko F.T., Бугаев А.С., Гольцман Г.Н., Образцова Е.Д., Панасов С.Н., Фёдоров Г.Е., Gayduchenko I.A. показать полностью..., Gayduchenko I.A., Kuntsevich A.Y., Leiman V.G., Matyushkin Y.E., Otsuji T., Pesotzkii V., Shur M., Yagodkin D.I., Песоцкий В.И., Селиверстов С.В.

24 статьи, 5 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 72, Scopus: 68

IstinaResearcherID (IRID): 106643166

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2018 Manifestation of plasmonic response in the detection of sub-terahertz radiation by graphene based devices
    • Gayduchenko I.A., Fedorov G.E., Moskotin M.V., Yagodkin D.I., Seliverstov S.V., Goltsman G.N., Kuntsevich A.Yu, Rybin M.G., Obraztsova E.D., Leiman V.G., Shur M.S., Otsuji T., Ryzhii V.I.
    • в журнале Nanotechnology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 29, с. 245204-1-245204-8 DOI
  • 
    • 2018 The detection of sub-terahertz radiation using graphene-layer and graphene-nanoribbon FETs with asymmetric contacts
    • Gayduchenko Igor A., Moskotin Maxim V., Matyushkin Yakov E., Rybin Maxim G., Obraztsova Elena D., Ryzhii Victor I., Goltsman Gregory N., Fedorov Georgy E.
    • в журнале Materials Today: Proceedings, издательство Elsevier B.V. (Netherlands), том 5, с. 27301-27306 DOI
  • 
    • 1994 Semiclassical interband tunnelling probability in semiconductor heterostructures
    • Zhakharova A., Ryzhii V., Pesotzkii V.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 1, с. 41-48 DOI
  • 
    • 1994 Spin orientation due to longotudinal current and interband tunnelling in narrow–gap heterostructures
    • Zakharova A., Vasko F.T., Ryzhii V.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 6, № 37, с. 7537-7546 DOI
  • 
    • 1993 Negative differential resistance of single barrier interband tunnelling diodes
    • Khrenov G., Ryzhii V., Zhakharova A.
    • в журнале Solid State Electronics, том 36, № 9, с. 1325-1333 DOI
  • 
    • 1993 Semiclassical theory of interband tunnelling in semiconductor heterostructures
    • Ryzhii V., Zhakharova A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 8, с. 377-382 DOI
  • 
    • 1992 Quasi-paticle tunneling effects in structures based on type II heterojunctions
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 26, № 7, с. 660-664
  • 
    • 1992 Tunnelling processes in broken-gap heterostructures
    • Ryzhii V.I., Zakharova A.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 7, № 7, с. 980-984 DOI
  • • 1992 Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 26, № 7, с. 1182-1190
  • 
    • 1991 Oscillations of the current-voltage characteristics of unipolar quantum-well transistor structures
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 3, с. 244-248
  • • 1991 Осцилляции вольт–амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 25, № 3, с. 402-408
  • 
    • 1990 Theory of hot-electron transport in heterostructure transistors
    • Ershov M.Yu, Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 7, с. 796-800
  • • 1990 К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
    • Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 24, № 7, с. 1265-1271
  • 
    • 1989 Generation of sound as a result of interaction of laser radiation with the surface of a semiconductor
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 11, с. 1223-1226
  • 
    • 1989 Mechanism of formation of spatially inhomogeneous structures in semiconductors under the influence of high laser radiation
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 10, с. 1175-1176
  • • 1989 О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 23, № 11, с. 1986-1980
  • • 1989 О механизме образования пространственно–неоднородных структур в полупроводниках под действием мощного лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 23, № 10, с. 1898-1900
  • • 1986 Расчет высокочастотных характеристик биполярных n-p-n гетеротранзисторов при консервативном переносе горячих электронов в базе
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), том 118, № 2, с. 3-9
  • 
    • 1985 High-frequency characteristics of bipolar heterotransistors under conditions of coservative transport of hot electrons in the base
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 14, № 6, с. 269-272
  • 
    • 1985 High-frequency properties of bipolar hetrotransistors under conditions of diffesion transport of hot electrons in the base
    • Ryzhii V.I., Zakhaova A.A., Panasov S.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 19, № 3, с. 298-300
  • • 1985 Высокочастотные свойства биполярных гетеротранзисторов при диффузионном переносе горячих электронов в базе
    • Рыжий В.И., Захарова А.А., Панасов С.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 19, № 3, с. 480-485
  • • 1985 Высокочастотные характеристики биполярных гетеротранзисторов в условиях консервативного переноса горячих электронов в базе
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 14, № 6, с. 521-524
  • 
    • 1984 Acoustic instability in semiconductor with a noniquilibrium electron-hole plasma
    • Bugaev A.S., Gulyev Yu V., Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 18, № 12, с. 1344-1346
  • • 1984 Акустическая неустойчивость в полупроводниках с неравновесной электронно–дырочной плазмой
    • Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 18, № 12, с. 2155-2159

• Тезисы докладов

  • • 1993 Междузонное туннелирование в узкощелевых гетероструктурах: N-образие ВАХ, генерация электронно–дырочных пар и ориентация спина
    • Захарова А.А., Васько Ф.Т., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов II Украинской конференции “Материаловед. и физика полупроводниковых фаз переменного состава” (Нежин, 1993), место издания Нежин, тезисы, с. 52
  • • 1993 Прозрачность полупроводниковых гетероструктур с межзонным туннелированием квазичастиц
    • Захарова А.А., Песоцкий В.И., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993), с. 293, место издания Нижний Новгород, тезисы, с. 293
  • • 1992 Межзонное туннелирование квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
    • Захарова А.А., Рыжий В.И., Хренов Г.Ю.
    • в сборнике Тезисы докладов 15 Пекаровского совещания по теории полупроводников, место издания Донецк, тезисы, с. 56
  • • 1990 К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
    • Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов V Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, место издания Калуга, том 1, тезисы, с. 107
  • • 1989 О расслоении электронно–дырочной плазмы полупроводников под действием мощного лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов XIV Всесоюзного совещания по теории полупроводников, место издания Донецк, тезисы, с. 120