ИСТИНА

Якушев М.В.

Соавторы: Dvoretsky S.A., VARAVIN V., Дзядух С.М., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Rumyantsev V.V., Войцеховский А.В., Иконников А.В., Михайлов Н.Н., Gavrilenko V.I., Kozlov D.V., Уаман Светикова Т.А., Kadykov A.M. показать полностью..., Voitsekhovskii A.V., Галеева А.В., Морозов С.В., Сотничук М.К.

5 статей, 2 доклада на конференциях, 2 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 0

IstinaResearcherID (IRID): 184588240

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2023 Photoconductivity spectroscopy of arsenic-related acceptors in HgCdTe
    • Ikonnikov Anton, Rumyantsev Vladimir, Sotnichuk Mikhail, Mikhailov Nikolay, Dvoretsky Sergey, Varavin Vasily, Yakushev Maxim, Morozov Sergey, Gavrilenko Vladimir
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 38, № 8, с. 085003 DOI
  • 
    • 2021 Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
    • Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A., Kulchitskii N.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
  • • 2019 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 46-50

• Статьи в сборниках

  • • 2018 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 401-405
  • • 2018 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 398-401

• Доклады на конференциях

  • • 2020 Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах (Стендовый)
    • Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020), Екатеринбург-Алапаевск, Россия, 17-22 февраля 2020
  • • 2019 Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры (Стендовый)
    • Авторы: Румянцев В.В., Козлов Д.В., Галеева А.В., Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
    • XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и Наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 11-14 марта 2019

• Тезисы докладов

  • • 2020 Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, издательство Издательство Уральского университета (Екатеринбург), тезисы, с. 94-95
  • • 2019 Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Галеева А.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
    • в сборнике Труды XXIII Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника, место издания Издательство Нижегородского гос. университета им. Н.И. Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 845