VARAVIN VS
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 1,
Scopus: 1
IstinaResearcherID (IRID): 1857690
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2021
Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
-
Voitsekhovskii A.V.,
Nesmelov S.N.,
Dzyadukh S.M.,
Dvoretskii S.A.,
Kulchitskii N.A.,
Varavin V.S.,
Mikhailov N.N.,
Yakushev M.V.,
Sidorov G.Y.
-
в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
-
-
2019
Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
-
Uaman Svetikova T.A.,
Ikonnikov A.V.,
Rumyantsev V.V.,
Kozlov D.V.,
Chernichkin V.I.,
Galeeva A.V.,
Varavin V.S.,
Mikhailov N.N.,
Dvoretskii S.A.,
Morozov S.V.,
Gavrilenko V.I.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 9, с. 1266-1271
DOI
-
-
2019
Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями
-
Войцеховский А.В.,
Кульчицкий Н.А.,
Несмелов С.Н.,
Дзядух С.М.,
Варавин В.С.,
Дворецкий С.А.,
Михайлов Н.Н.,
Якушев М.В.,
Сидоров Ю.Г.
-
в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 46-50
-
-
2019
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Черничкин В.И.,
Галеева А.В.,
Варавин В.С.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 9, с. 1297-1302
DOI
-
-
Статьи в сборниках
-
-
2018
Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
-
Войцеховский А.В.,
Кульчицкий Н.А.,
Несмелов С.Н.,
Дзядух С.М.,
Варавин В.С.,
Дворецкий С.А.,
Михайлов Н.Н.,
Якушев М.В.,
Сидоров Г.Ю.
-
в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 401-405
-
-
2018
Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
-
Войцеховский А.В.,
Кульчицкий Н.А.,
Несмелов С.Н.,
Дзядух С.М.,
Варавин В.С.,
Дворецкий С.А.,
Михайлов Н.Н.,
Якушев М.В.,
Сидоров Г.Ю.
-
в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 398-401
-
Доклады на конференциях
-
-
-
-
2020
Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах
(Стендовый)
-
Авторы:
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Варавин В.С.,
Якушев М.В.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.
-
XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020), Екатеринбург-Алапаевск, Россия, 17-22 февраля 2020
-
-
2019
Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe
(Стендовый)
-
Авторы:
Гавриленко В.И.,
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Черничкин В.И.,
Галеева А.В.,
Варавин В.С.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.,
Морозов С.В.
-
XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
-
-
2019
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
(Стендовый)
-
Авторы:
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Галеева А.В.,
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Кадыков А.М.,
Варавин В.С.,
Якушев М.В.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.
-
XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и Наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 11-14 марта 2019
-
Тезисы докладов
-
-
2021
Температурная зависимость примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок CdHgTe: роль флуктуаций потенциала
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Варавин В.С.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.
-
в сборнике Материалы XXV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 9–12 марта 2021 г, место издания Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского г. Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 883-884
-
-
2020
Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Варавин В.С.,
Якушев М.В.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.
-
в сборнике Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, издательство Издательство Уральского университета (Екатеринбург), тезисы, с. 94-95
-
-
2020
Спектры примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Варавин В.С.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.
-
в сборнике XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-13 марта, 2020, труды симпозиума, том 2, тезисы, с. 758-759
-
-
2019
Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Черничкин В.И.,
Галеева А.В.,
Варавин В.С.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.
-
в сборнике Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г, место издания Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск, том 2, тезисы, с. 338
-
-
2019
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
-
Уаман Светикова Т.А.,
Иконников А.В.,
Румянцев В.В.,
Козлов Д.В.,
Галеева А.В.,
Кадыков А.М.,
Варавин В.С.,
Якушев М.В.,
Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.
-
в сборнике Труды XXIII Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника, место издания Издательство Нижегородского гос. университета им. Н.И. Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 845