ИСТИНА

Турищев С.Ю.

Соавторы: Андреева М.А., Домашевская Э.П., Одинцова Е.Е., Hernandez-Ramirez F., Morante J.R., Ryabtsev S.V., Shaposhnik D.A., Terekhov V.A., Vilanova X., Терехов В.А., Чученкова О.А., Шапошник А.В.

3 статьи, 2 доклада на конференциях

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 6, Scopus: 6

IstinaResearcherID (IRID): 2418602

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Gas sensing properties of individual SnO2 nanowires and SnO2 sol–gel nanocomposites
    • Shaposhnik Alexey V., Shaposhnik Dmitry A., Turishchev Sergey Yu, Chuvenkova Olga A., Ryabtsev Stanislav V., Vasiliev Alexey A., Vilanova Xavier, Hernandez-Ramirez Francisco, Morante Joan R.
    • в журнале Beilstein journal of nanotechnology, издательство Beilstein-Institut zur Förderung der Chemischen Wissenschaften (Frankfurt am Main, Germany), том 10, с. 1380-1390 DOI
  • 
    • 2012 Interference phenomena of synchrotron radiation in TEY spectra for silicon-on-insulator structure
    • Andreeva M.A., Domashevskaya E.P., Odintsova E.E., Terekhov V.A., Turishchev S.Yu
    • в журнале Journal of Synchrotron Radiation, издательство Blackwell Publishing Inc. (United Kingdom), том 19, № 4, с. 609-618 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2010 Моделирование квантового выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/Si/SiO2
    • Одинцова Е.Е., Андреева М.А., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю.
    • в сборнике Материалы совещания «Рентгеновская оптика — 2010» (г. Черноголовка), место издания ИПТМ, г. Черноголовка, с. 41-43

• Доклады на конференциях

  • • 2014 Проявление интерференции и дифракции ультрамягкого синхротронного излучения в области L-краев поглощения кремния в наноструктурах (Стендовый)
    • Авторы: Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю., Андреева М.А.
    • Совещание по использованию рассеяния нейтронов и синхротронного излучения в конденсированных средах (РНСИ-КС-2014), 27-31 октября 2014, Санкт-Петербург, Старый Петергоф, Санкт-Петербург, Старый Петергоф, физический факультет С.-Петербургского ун-та, Россия, 2014
  • • 2010 Моделирование квантового выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/Si/SiO2 (Устный)
    • Авторы: Андреева М.А., Домашевская Э.П., Турищев С.Ю., Терехов В.А., Одинцова Е.Е.
    • «Рентгеновская оптика — 2010» (г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г.), 2010