Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Ponosov Y.S.
Ponosov Y.S.
IstinaResearcherID (IRID): 498914
–

Статьи в журналах

    • 2009 Unusual B1-B2 transition in PbSe under high pressure: evidence for two intermediate phases; transport, structural, and optical properties
    • Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Manakov A.Y., Likhacheva A.Y., Ponosov Y.S., Mogilenskikh V.E., Vokhmyanin A.P., Ancharov A.I., Skipetrov E.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 246, № 3, с. 615-621 DOI
    • 2004 Application of the high-pressure thermoelectric technique for characterization of semiconductor microsamples: PbX-based compounds
    • Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Ponosov Y.S., Gudina S.V., Guk V.G., Skipetrov E.P., Mogilenskikh V.E.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 37, № 8, с. 1151-1157 DOI

ИПМех РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь