ИСТИНА

Volkov B.A.

Соавторы: Хохлов Д.Р., KOPAEV Y., молотков с.н., Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Рябова Л.И.

6 статей

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 209, Scopus: 203

IstinaResearcherID (IRID): 537875

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2004 Fermi level pinning and long-term relaxation effects in doped IV-VI narrow-gap semiconductors
    • Volkov B., Khokhlov D.
    • в журнале HAIT Journal of Science and Engineering, том 1, с. 266-273
  • 
    • 2002 Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutions
    • Volkov B.A., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
    • в журнале Physics Uspekhi, издательство Russian Academy of Sciences (Russian Federation), том 45, № 8, с. 819-846 DOI
  • 
    • 2000 Model of DX-like impurity centers in PbTe(Ga)
    • Belogorokhov A.I., Volkov B.A., Ivanchik I.I., Khokhlov D.R.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 72, № 3, с. 123-125 DOI
  • 
    • 1980 MAGNETIC-SUSCEPTIBILITY OF A FERROMAGNET WITH A STRUCTURAL TRANSFORMATION
    • VOLKOV BA, KOPAYEV YV, MOLOTKOV SN
    • в журнале Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki, том 79, № 1, с. 296-308
  • 
    • 1979 QUESTION OF MAGNETOELECTRIC EFFECT
    • VOLKOV BA, KOPAEV YV, MOLOTKOV SN
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 21, № 6, с. 1695-1700

• Статьи в сборниках

  • • 1996 Mixed valence, electrical activity and metastable states in doped IV-VI compounds: experiment and theory
    • Khokhlov D.R., Volkov B.A.
    • в сборнике Proceedings of the 23 International Conference on the Physics of Semiconductors, издательство World Scientific (United States), том 4, с. 2941-2948