ИСТИНА

Дзядух С.М.

Соавторы: Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Dvoretsky S.A., VARAVIN V., Якушев М.В., Voitsekhovskii A.V.

14 статей

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 1

IstinaResearcherID (IRID): 7945731

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2021 Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
    • Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A., Kulchitskii N.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
  • • 2019 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 46-50
  • • 2019 Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона
    • Бурлаков И.Д., Кульчицкий Н.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 7, № 6, с. 547-559
  • 
    • 2018 Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg 1– xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a Wide Temperature Range
    • Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N.A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 63, № 9, с. 1112-1118
  • • 2017 Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 5, № 1, с. 55-63
  • • 2017 Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77К
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 19, № 1, с. 3-20
  • • 2016 СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНОГО ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21…0.23) С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ И БЕЗ ТАКИХ СЛОЕВ
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, № 4, с. 39-47
  • • 2013 Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале наноинженерия, № 6, с. 21-31

• Статьи в сборниках

  • • 2018 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 401-405
  • • 2018 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 398-401
  • • 2017 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МВЕ HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), с. 380-381
  • • 2017 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МВЕ HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, место издания НИЯУ МИФИ М, с. 380-381
  • • 2017 МДП-структуры на основе варизонного МВЕ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике, место издания НИЯУ МИФИ М.,, с. 378-379
  • • 2017 МДП-структуры на основе варизонного МВЕ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, место издания НИЯУ МИФИ М, с. 378-379