Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applicationsсборник
Статьи, опубликованные в сборнике
-
-
2011
On the origin of the mobility reduction in bulk-Si, UTBOX-FDSOI and SiGe devices with ultrathin-EOT dielectrics
-
Ragnarsson L.A.,
Mitard J.,
Kauerauf T.,
De Keersgieter A.,
Schram T.,
Rohr E.,
Collaert N.,
Jurczak M.,
Hong S.H.,
Tseng J.,
Wang W.E.,
Trojman L.,
Bourdelle K.K.,
Nguyen B.Y.,
Absil P.,
Hoffmann T.Y.
-
в сборнике Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, место издания IEEE
DOI
-
-
2011
UTBOX and ground plane combined with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> inserted in TiN gate for V<inf>T</inf> modulation in fully-depleted SOI CMOS transistors
-
Fenouillet-Beranger C.,
Perreau P.,
Casse M.,
Garros X.,
Leroux C.,
Martin F.,
Gassilloud R.,
Bajolet A.,
Tosti L.,
Barnola S.,
Andrieu F.,
Weber O.,
Beneyton R.,
Perrot C.,
de Buttet C.,
Abbate F.,
Pernet B.,
Campidelli Y.,
Pinzelli L.,
Gouraud P.,
Huguenin J.L.,
Borowiak C.,
Peru S.,
Clement L.,
Pantel R.,
Bourdelle K.K.,
Nguyen B.Y.,
Boedt F.,
Denorme S.,
Faynot O.,
Skotnicki T.,
Boeuf F.
-
в сборнике Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, место издания IEEE
DOI