ИСТИНА

Одним из важных свойств аморфного гидрированного кремния (a-Si:H), как с научной, так и с практической точки зрения, является структурная перестройка аморфной сетки и водородных связей с образованием метастабильных дефектов под влиянием внешних воздействий (света, температуры и т.д.). Это определяет, в частности, изменение плотности электронных состояний в запрещенной зоне и электрических, фотоэлектрических и оптических свойств материала. В докладе представлены результаты исследований влияния освещения на кинетику релаксации фотоиндуцированной при температурах выше 420K метастабильной темновой проводимости фоточувствительных нелегированных пленок a-Si:H. Повышение температуры позволяло изучать медленные процессы образования и релаксации метастабильных дефектов [1]. Была исследована кинетика релаксации фотоиндуцированной проводимости освещенной пленки a-Si:H в темноте и при слабой подсветке. Показано, что особенности релаксации при подсветке определяются как процессом термической релаксации, так и процессами фотоиндуцированной релаксации и генерации медленных дефектов, энергетические уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны [2]. Установлено также, что кинетика термической релаксации метастабильной проводимости после предварительного освещения пленки, а затем частичной изохронной релаксации в темноте (кривая 1) и при слабой подсветке (кривая 2) описывается растянутыми экспонентами с разными значениями параметров. Их значения зависят от температуры, интенсивности и времени предварительного освещения, от времени последующей частичной релаксации, а также от интенсивности подсветки. Полученные зависимости параметров релаксации обсуждаются с позиции определяющей роли скорости диффузии водорода, зависящей от подсветки, в структурной перестройке аморфной сетки пленок a-Si:H [3].