|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремниидоклад на конференции
- Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
- Конференция : I Российская конф. по физике полупроводни-ков
- Даты проведения конференции: 1993
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Нижний Новгород
-
Аннотация доклада:
Проведены систематические исследования температурных зависимостей фотопроводимости и люкс-амперных характеристик легированных пленок a-Si:H после предварительного освещения при разных температурах. Наблюдалось подавление температурного гашения фотопроводимости. Для объяснения совокупности полученных данных предложена модель рекомбинации через комплексы дефектов пары близких оборванных связей кремния.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна