|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Инженерия напряжений при создании квантовых ям InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ=1030-1100 нм)доклад на конференции
- Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.
- Международная Конференция (Симпозиум) : XVII международной симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Даты проведения конференции: 11-15 марта 2013
- Дата доклада: 10 марта 2011
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Нижний Новогород, Russia
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич