ИСТИНА

Мармалюк А.А.

Соавторы: Багаев Т.А., Симаков В.А., Пихтин Н.А., Podoskin A.A., Slipchenko S.O., Padalitsa A.A., Падалица А.А., Соболева О.С., Ладугин М.А., Тарасов И.С., Золотарёв В.В., Ладугин М.А., Лобинцов А.В. показать полностью..., Tarasov I.S., Горлачук П.В., Засавицкий И.И., Сапожников С.М., Яроцкая И.В., Veselov D.A., Андреев А.Ю., Зверков М.В., Иконников А.В., Коваль Ю.П., Коняев В.П., Курнявко Ю.В., Ладыгин В.М., Ноздрин Ю.Н., Рожков А.В., Рожков А.С., Рябоштан Ю.Л., Слепченко С.М., Телегин К.Ю., Andreev A.Y., Fefelov A.G., Gavrina P.S., Golovin V.S., Konyaev V.P., Kurniavko Y.V., Maremyanin K.V., Marem’yanin K.V., Podoskin A.A., Pozdnjakova V.I., Pozdnykova V.I., Veselov Μ.Μ., Zakharov M.S., Zverkov M.V., Акчурин Р.Х., Андреев А.Ю., Андреев А.Ю., Аникеевa А.С., Васильев М.Г., Васильева В.В., Веселов Д.А., Головкин В., Горбатюк А.В., Данилов А.И., Жаботинский А.В., Заворина Е.И., Зарубин С.С., Зубов А.Н., Ильченко С.Н., Коняев В.П., Коняев С.К., Кричевский В.В., Панкратов К.М., Петровский В.А., Петухов А.А., Подоскин А.А., Романович Д.Н., Сапожников Г.В., Слипченко С.О., Телегин К.Ю., Шидловский В.Р., Якубович С.Д., Яроцкая Ю.В.

22 статьи, 10 докладов на конференциях, 1 тезисы доклада, 1 диссертация, 4 дипломные работы

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 116, Scopus: 129

IstinaResearcherID (IRID): 9645076

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grownby MOVPE
    • Ladugin Maxim A., Yarotskaya Irina V., Bagaev Timur A., Telegin Konstantin Yu, Andreev Andrey Yu, Zasavitskii Ivan I., Padalitsa Anatoliy A., Marmalyuk Alexander A.
    • в журнале Crystals, издательство MDPI (Basel, Switzerland), том 9, № 6, с. 305 DOI
  • • 2019 Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами
    • Аникеевa А.С., Багаев Т.А., Ильченко С.Н., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Панкратов К.М., Шидловский В.Р., Якубович С.Д.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 49, № 9, с. 810-813
  • 
    • 2019 TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE TURN-ON DELAY TIME OF HIGH-POWER LASERS-THYRISTORS
    • Soboleva O.S., Podoskin A.A., Golovin V.S., Gavrina P.S., Zolotarev V.V., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале IEEE Transactions on Electron Devices, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 66, № 4, с. 1827-1830 DOI
  • 
    • 2019 Transport and stimulated THz emission in simple weak barrier superlattices
    • Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V., Pozdnykova V.I., Nozdrin Y.N., Marmalyuk A., Padalitsa A., Ladugin M., Belyakov V., Ladenkov I., Fefelov A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1189, с. 012021 DOI
  • 
    • 2019 Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm)
    • Gavrina P.S., Podoskin A.A., Romanovich D.N., Golovin V.S., Veselov D.A., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 34, № 6, с. 065025 DOI
  • • 2019 СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ КВАНТОВЫХ ЯМ GAAS/GAINP И GAAS/ALGAAS, ПОЛУЧЕННЫХ В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
    • Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Рябоштан Ю.Л., Багаев Т.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Васильев М.Г.
    • в журнале Неорганические материалы, том 55, № 4, с. 345-349 DOI
  • 
    • 2018 КОМПАКТНАЯ РЕШЕТКА ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ИНТЕГРИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAAS/GAAS
    • Ладугин М.А., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Коваль Ю.П., Коняев В.П., Сапожников С.М., Лобинцов А.В., Симаков В.А.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 48, № 11, с. 993-995 DOI
  • 
    • 2017 Effect of the spatial current dynamics on radiative characteristics of high-power lasers-thyristors based on AlGaAs/GaAs heterostructures
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A., Tarasov I.S.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 121, с. 054502 DOI
  • • 2017 ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/ALGAAS МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ ДЛЯ КВАНТОВОГО КАСКАДНОГО ЛАЗЕРА
    • Мармалюк А.А., Падалица А.А., Ладугин М.А., Горлачук П.В., Яроцкая И.В., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Лобинцов А.В., Курнявко Ю.В., Сапожников С.М., Данилов А.И., Телегин К.Ю., Симаков В.А., Засавицкий И.И., Зарубин С.С.
    • в журнале Неорганические материалы, том 53, № 9, с. 909-913 DOI
  • 
    • 2016 GENERATION OF LASER PULSES IN THE MEGAHERTZ RANGE OF REPETITION FREQUENCIES BY LOW-VOLTAGE ALGAAS/GAAS LASER-THYRISTORS
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Veselov D.A., Zolotarev V.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале IEEE Transactions on Electron Devices, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 63, № 8, с. 3154-3159 DOI
  • 
    • 2016 GENERATION OF NANOSECOND AND SUBNANOSECOND LASER PULSES BY ALGAAS/GAAS LASER-THYRISTOR WITH NARROW MESA STRIPE CONTACT
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале Optics Express, издательство Optical Society of America (United States), том 24, № 15, с. 16500-16511 DOI
  • 
    • 2016 SPATIAL DYNAMICS OF HIGH CURRENT TURN-ON IN LOW-VOLTAGE ALGAAS/GAAS PHOTOTRANSISTORS
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 119, № 12, с. 124513-124513 DOI
  • • 2016 КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ INAS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫЕ КАПЕЛЬНЫМ МЕТОДОМ В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
    • Сурнина М.А., Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А., Багаев Т.А., Сизов А.Л.
    • в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 42, № 14, с. 66-71
  • 
    • 2016 КВАНТОВЫЙ КАСКАДНЫЙ ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПАРЫ GAAS/AL0.45GA0.55AS, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
    • Засавицкий И.И., Зубов А.Н., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Падалица А.А., Лобинцов А.В., Сапожников С.М., Мармалюк А.А.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 46, № 5, с. 447-450 DOI
  • 
    • 2015 HIGH-POWER LASER THYRISTORS WITH HIGH INJECTION EFFICIENCY (λ = 890-910 NM)
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A.
    • в журнале IEEE Photonics Technology Letters, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 27, № 3, с. 307-310 DOI
  • 
    • 2015 OPTICAL FEEDBACK IN 905 NM POWER LASER-THYRISTORS BASED ON ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURES
    • Podoskin A.A., Soboleva O.S., Zakharov M.S., Veselov D.A., Zolotarev V.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Slipchenko S.O., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 30, № 12, с. 125011-125011 DOI
  • 
    • 2014 A study of nonlinear lasing dynamics of an InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructure power laser-thyristor emitting at 905nm
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Konyaev V.P., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 116, с. 084503 DOI
  • • 2014 РЕШЕТКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ С ПОВЫШЕННОЙ МОЩНОСТЬЮ И ЯРКОСТЬЮ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
    • Коняев В.П., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Багаев Т.А., Зверков М.В., Кричевский В.В., Падалица А.А., Сапожников С.М., Симаков В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 48, № 1, с. 104-108
  • • 2014 ЭФФЕКТИВНОСТЬ УПРАВЛЕНИЯ МОЩНОГО ЛАЗЕРА-ТИРИСТОРА, ИЗЛУЧАЮЩЕГО В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 890-910 НМ
    • Слипченко С.О., Подоскин А.А., Васильева В.В., Пихтин Н.А., Рожков А.В., Горбатюк А.В., Золотарев В.В., Веселов Д.А., Жаботинский А.В., Петухов А.А., Тарасов И.С., Багаев Т.А., Зверков М.В., Коняев В.П., Курнявко Ю.В., Ладугин М.А., Лобинцов А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сима ков В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 48, № 5, с. 716-718
  • 
    • 2013 HIGH-POWER PULSE SEMICONDUCTOR LASER-THYRISTOR EMITTING AT 900-NM WAVELENGTH
    • Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Zverkov M.V., Konyaev V.P., Kurniavko Y.V., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A.
    • в журнале IEEE Photonics Technology Letters, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 25, № 17, с. 1664-1667 DOI
  • 
    • 2013 МОЩНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 850 – 870 НМ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЗКИМИ И ШИРОКИМИ ВОЛНОВОДАМИ
    • Ладугин М.А., Коваль Ю.П., Мармалюк А.А., Петровский В.А., Багаев Т.А., Андреев А.Ю., Падалица А.А., Симаков В.А.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 43, № 8, с. 407-409 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2015 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИМЕНЕНИЙ
    • Мармалюк А.А., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Багаев Т.А., Яроцкая Ю.В., Ладугин М.А., Падалица А.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения, с. 62-63

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области (Устный)
    • Авторы: Червяков А.В., Туркин А.Н., Мазалов А.В., Авакянц Л.П., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А., Асланян А.Э., Курешов В.Р.
    • 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Россия, 15-16 мая 2019
  • • 2014 Мощные лазерные линейки и решетки на основе гетероструктур с квантовыми ямами AlGaAs и GaAsP (Устный)
    • Авторы: Ладугин М.А., Падалица А.А., Яроцкая И.В., Багаев Т.А., Лобинцов А.В., Курнявко Ю.В., Сапожников С.М., Данилов А.И., Иванова Е.Б., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
    • IV симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», Санкт-Петербург, Россия, 10-13 ноября 2014
  • • 2013 Разработка многоспектральных полупроводниковых излучателей для накачки активных сред (Стендовый)
    • Авторы: Коняев В.П., Данилов А.И., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мармалюк А.А., Морозюк А.М., Падалица А.А., Попов Е.И., Сапожников С.М., Симаков В.А.
    • 9-й Белорусско-Российский семинар «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе»., Минск., 2013
  • • 2013 Функционально-интегрированные полупроводниковые излучатели (Стендовый)
    • Авторы: Мармалюк А.А., Багаев Т.А., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Мешков А.С., Рябоштан Ю.Л., Данилов А.И., Лебедева Е.И., Сапожников С.М., Романцевич В.И., Курносов В.Д., Иванов А.В., Кричевский В.В., Зверков М.В., Коняев В.П., Симаков В.А.
    • 9-й Белорусско-Российский семинар «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе»., Минск., 2013
  • • 2013 Интегрированные полупроводниковые лазерные излучатели (Стендовый)
    • Авторы: Мармалюк А.А., Багаев Т.А., Горлачук П.В., Данилов А.И., Зверков М.В., Иванов А.В., Коняев В.П., Кричевский В.В., Курносов В.Д., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мешков А.С., Романцевич В.И., Рябоштан Ю.Л., Сапожников С.М., Симаков В.А.
    • XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
  • • 2013 Модель полупроводникового гетеролазера-тиристора (Стендовый)
    • Авторы: Слипченко С.О., Подоскин А.А., Горбатюк А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
    • XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
  • • 2013 Мощные импульсные полупроводниковые лазеры на основе эпитаксиальноинтегрированных тиристорных гетероструктур (Стендовый)
    • Авторы: Слипченко С.О., Подоскин А.А., Рожков А.В., Горбатюк А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Багаев Т.А., Зверков М.В., Коняев В.П., Курнявко Ю.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Симаков В.А.
    • XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
  • • 2011 Инженерия напряжений при создании квантовых ям InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ=1030-1100 нм) (Стендовый)
    • Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.
    • XVII международной симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новогород, Россия, 11-15 марта 2013
  • • 2012 Лазерные диоды, линейки и решетки InGaAs/AlGaAs/GaAs излучающие на длине волны 0,94 мкм (Стендовый)
    • Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сапожников С.М., Симаков В.А., Соловьева А.В.
    • 3-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», Санкт-Петербург, Россия, 13-16 ноября 2012
  • • 2012 Напряженно-компенсированные гетероструктуры InGaAs/GaAsP/AlGaAs/GaAs (λ=1030-1060 нм), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии (Стендовый)
    • Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А.
    • XV международная конференция Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и наносистемы, Ульяновск, Россия, 4-7 сентября 2012

• Тезисы докладов

  • • 2019 Universal simple weak barrier SL-based broad band tunable sources at any THz?
    • Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V., Pozdniakova V.I., Nozdrin Y.N., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Ladugin M.A., Belyakov V.A., Ladenkov I.V., Fefelov A.G.
    • в сборнике 2nd Conference of International Consortium on Terahertz Photonics and Optoelectronics Program and Proceedings, серия International Research Network “Bright Far-Infrared Optoelectronic Sources to Field-Matter Interaction Studies, Life Sciences and Environmental Monitoring”, место издания Nizhny Novgorod, Russia, тезисы, с. 86-88

• Руководство диссертациями

  • • 2013 ПОЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/AlGaAs/GaAs С НЕСКОЛЬКИМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ.
    • Кандидатская диссертация по специальности 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники (хим. науки)
    • Автор: Багаев Тимур Анатольевич, к.х.н.
    • Научные руководители: доктор технических наук, Мармалюк Александр Анатольевич
    • Защищена в совете Д 212.120.06 при ФГБОУ ВПО «Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова»

• Руководство дипломными работами

  • • 2018 Исследования параметров квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов
    • Научные руководители: Туркин Андрей Николаевич, Мамалюк Александр Анатольевич
    • Автор: Мирзаи Сафар Салманович (Бакалавр)
  • • 2017 Электролюминесцентные и структурные свойства гетероструктур (In,Ga)N, полученных методом металлоорганической эпитаксии.
    • Научные руководители: Юнович А.Э., Мармалюк А.А.
    • Автор: Захаров Владислав Игоревич (Магистр)
  • • 2015 Электролюминесцентные и структурные свойства гетероструктур InGaN/GaN, полученных методом металло-органической эпитаксии
    • Научные руководители: Юнович А.Э., Мармалюк А.А.
    • Автор: Захаров Владислав Игоревич (Бакалавр)
  • • 2015 Спектры и эффективность излучения квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)AsP, полученных методом металло-органической эпитаксии.
    • Научные руководители: Юнович А.Э., Мармалюк А.А.
    • Автор: Карпов Илья Геннадьевич (Бакалавр)