Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Моделирование квантового выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/Si/SiO2
доклад на конференции
Авторы:
Андреева М.А.
,
Домашевская Э.П.
,
Турищев С.Ю.
,
Терехов В.А.
,
Одинцова Е.Е.
Конференция :
«Рентгеновская оптика — 2010» (г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г.)
Даты проведения конференции:
2010
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Одинцова Е.Е.
не указан
Андреева М.А.
Домашевская Э.П.
Турищев С.Ю.
Терехов В.А.
Одинцова Е.Е.
Добавил в систему:
Андреева Марина Алексеевна