Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
GEN
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Издательство:
Ropersa
Местоположение издательства:
Barcelona, Spain
ISSN:
0377-8290 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2008
Влияние деформаций на изменение ширины запрещенной зоны в эпитаксиальных слоях полупроводников АIVBVI
Пашаев А.М.,
Даварашвили О.И.
, Алиев В.А.,
Енукашвили М.И.
,
Зломанов В.П.
в журнале
GEN
, издательство
Ropersa
(Barcelona, Spain)
, № 3, с. 53-55
2008
О критических толщинах в гетероструктурах AIVBVI при диффузионном ресогласовании
Пашаев А.М.,
Даварашвили О.И.
, Алиев В.А., Бычкова Л.П.,
Енукашвили М.И.
,
Зломанов В.П.
в журнале
GEN
, издательство
Ropersa
(Barcelona, Spain)
, том 4, с. 7-10