Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
IEEE Transactions on Electron Devices
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Издательство:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Местоположение издательства:
Piscataway, NJ, United States
ISSN:
0018-9383 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2022
Spectral Thermal Spreading Resistance of Wide-Bandgap Semiconductors in Ballistic-Diffusive Regime
Shen Yang
,
Hua Yu-Chao
,
Li Han-Ling
,
Sobolev S.L.
,
Cao Bing-Yang
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 69, № 6, с. 3047-3054
DOI
2019
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE TURN-ON DELAY TIME OF HIGH-POWER LASERS-THYRISTORS
Soboleva O.S.
,
Podoskin A.A.
,
Golovin V.S.
,
Gavrina P.S.
,
Zolotarev V.V.
,
Pikhtin N.A.
,
Slipchenko S.O.
,
Bagaev T.A.
, Ladugin M.A.,
Marmalyuk A.A.
,
Simakov V.A.
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 66, № 4, с. 1827-1830
DOI
2016
GENERATION OF LASER PULSES IN THE MEGAHERTZ RANGE OF REPETITION FREQUENCIES BY LOW-VOLTAGE ALGAAS/GAAS LASER-THYRISTORS
Slipchenko S.O.
,
Podoskin A.A.
,
Soboleva O.S.
,
Veselov D.A.
,
Zolotarev V.V.
,
Pikhtin N.A.
,
Tarasov I.S.
,
Bagaev T.A.
, Ladugin M.A.,
Marmalyuk A.A.
,
Simakov V.A.
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 63, № 8, с. 3154-3159
DOI
2016
Switching Mechanisms Triggered by a Collector Voltage Ramp in Avalanche Transistors With Short-Connected Base and Emitter
Vainshtein S.N., Duan G.Y.,
Filimonov A.V.
,
Kostamovaara J.T.
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 63, № 8, с. 3044-3048
DOI
2013
Comparative Simulation Analysis of Process-Induced Variability in Nanoscale SOI and Bulk Trigate FinFETs
Brown Andrew R.
,
Daval Nicolas
,
Bourdelle Konstantin K.
,
Nguyen Bich-Yen
,
Asenov Asen
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 60, № 11, с. 3611-3617
DOI
2011
Rare-Earth Scandate/TiN Gate Stacks in SOI MOSFETs Fabricated With a Full Replacement Gate Process
Durgun Ozben Eylem
,
Mantl Siegfried
,
Lopes Joao Marcelo J.
,
Nichau Alexander
,
Luptak Roman
,
Lenk Stteffi
,
Besmehn Astrid
,
Bourdelle Konstantin K.
,
Zhao Qing-Tai
,
Schubert Jurgen
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 58, № 3, с. 617-622
DOI
2010
LDD and Back-Gate Engineering for Fully Depleted Planar SOI Transistors with Thin Buried Oxide
Yan Ran
,
Duane Russell
,
Razavi Pedram
,
Afzalian Aryan
,
Ferain Isabelle
,
Lee Chi-Woo
,
Akhavan Nima Dehdashti
,
Nguyen Bich-Yen
,
Bourdelle Konstantin K.
,
Colinge Jean-Pierre
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 57, № 6, с. 1319-1326
DOI
2002
The effect of triple well implant dose on performance of NMOS transistors
Bourdelle K.K.
,
Chaudhry S.
,
Chu J.
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 49, № 3, с. 521-524
DOI
1979
Yellow-green In1-xGaxP and In1-xGaxP1-zAsz LEDs and electron-beam-pumped lasers prepared by LPE and VPE
Ermakov O.N.
,
Garba L.S.
,
Golovanov Y.A.
, Sushkov V.P.,
Chukichev M.V.
в журнале
IEEE Transactions on Electron Devices
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 26, № 8, с. 1190-1193
DOI