Место издания:Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
Первая страница:42
Последняя страница:43
Аннотация:Экспериментально установлен факт, что в нелегированных пленках a-Si:H под действием освещения образуются ансамбли быстрых и медленных метастабильных дефектов, энергетические уровни которых расположены, соответственно, вблизи середины запрещенной зоны и в верхней ее половине. Быстрые фотоиндуцированные метастабильные дефекты являются рекомбинационными центрами для электронов и могут быть метастабильными нейтральными оборванными связями кремния. Медленные метастабильные дефекты имеют термические энергии образования и релаксации, превышающие их значения для быстрых метастабильных дефектов. Это указывает на возникновение более сложных метастабильных структурных комплексов в результате перестройки матрицы аморфного гидрированного кремния во время освещения.