|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Прыжковая е2-проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном боромтезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005"
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: г. Москва
- Первая страница: 306
- Последняя страница: 306
- Аннотация: В работе проведено исследование особенностей изменения электрических свойств аморфного гидрированного кремния (a-Si:H), легированного бором, подвергнутого длительному воздействию высоких температур (выше 400 C). Установлено, что после термообработки при 650C проводимость нелегированных пленок в области низких температур определяется механизмом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, причем во всем температурном интервале измерений (100-480 K) проводимость описывается суммой двух (зонной и прыжковой) составляющих. В то же время обнаружено, что проводимость легированных пленок, подвергнутых аналогичному высокотемпературному воздействию, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур содержит вклад е2-проводимости (аналогичной е2-проводимости в кристаллических полупроводниках). Этот вклад связывается нами с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в области хвоста валентной зоны; возможность наблюдения е2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора при высокотемпературной обработке легированных пленок a-Si:H в потоке водорода и существенным изменением положения уровня Ферми. Из измерений параметров, характеризующих зонный вклад и е2-проводимость, была найдена энергетическая протяженность области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны в легированных бором пленках a-Si:H.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна