Температурное гашение фотопроводимости в легированных пленках a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 апреля 2017 г.
Аннотация:В легированных пленках a-Si:H обнаружено температурное гашение фотопроводимости (ТГФП), сопровождающее эффект Стеблера-Вронского. Для объяснения гашения предложена модель, учитывающая уширение уровней болтающихся связей и влияние температуры на оптическую перезарядку уровней.