Аннотация:Исследовались высокоомные, слабо легированные бором слои a-Si:H, которые используются в качестве i-слоев в p-i-n-структурах. Получено, что кинетика изменения темновой проводимости этих пленок во время и после их освещения немонотонна.Это связывается с образованием двух типов фотоиндуцированных состояний - быстрых и медленных. Наблюдалась "аномальная" кинетика темновой проводимости проводимости во время и после освещения i-слоев. Предполагается, что "аномальные" изменения проводимости определяются ее биполярностью, обусловленной расположением уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны.