|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремниитезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”
- Тезисы
- Год издания: 1991
- Место издания: г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
- Первая страница: 32
- Аннотация: Показано, что в одной и той же пленке a-Si:H, в зависимости от ее начального состояния, температурные зависимости скоростей образования оборванных связей кремния (ОС) и порядок реакции образования ОС различны. После длительного предварительного освещения пленки при повышенной температуре процесс образования ОС - бимолекулярный, скорость его не зависит практически от температуры. Полученные данные указывают на существование двух механизмов дефектообразования, которые обсуждаются в работе.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна