Аннотация:Показано влияние искусственно созданных неоднородностей на характеристики движущегося акустоэлектрического домена. При азотной температуре обнаружен статический акустоэлектрический домен. Обнаружено ИК излучение из образца GaAs с акустоэлектрическим доменом. Найдена возможность управления местом и временем излучения. Обсуждаются возможные механизмы возникновения ИК ихлучения из акустоэлектрического домена.