|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77Ктезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Матохин В.В., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Сборник докладов III-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs “Арсенид галлия”
- Тезисы
- Год издания: 1974
- Место издания: г. Томск
- Первая страница: 203
- Аннотация: Впервые обнаружено ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотной температуре. Одновременно исследовалось распределение напряженности электрического поля в домене во времени. Предполагается, что в нестационарных условиях в результате взаимодействия различных звуковых потоков возникают микрообласти сильного переменного электрического поля внутри акустоэлектрического домена, где в результате ударной ионизации зона-зона генерируются неравновесные дырки и электроны, рекомбинирующие с излучением ИК света.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна