|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремниитезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 1993
- Место издания: г. Нижний Новгород
- Первая страница: 120
- Аннотация: Проведены систематические исследования температурных зависимостей фотопроводимости и люкс-амперных характеристик легированных пленок a-Si:H после предварительного освещения при разных температурах. Наблюдалось подавление температурного гашения фотопроводимости. Для объяснения совокупности полученных данных предложена модель рекомбинации через комплексы дефектов пары близких оборванных связей кремния.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна