Аннотация:Проведены систематические исследования температурных зависимостей фотопроводимости и люкс-амперных характеристик легированных пленок a-Si:H после предварительного освещения при разных температурах. Наблюдалось подавление температурного гашения фотопроводимости. Для объяснения совокупности полученных данных предложена модель рекомбинации через комплексы дефектов пары близких оборванных связей кремния.