Аннотация:Проведено систематическое изучение кинетики изменения темновой проводимости нелегированных пленок a-Si:H, легированных фосфором или бором, при освещении пленок и в процессе релаксации. Немонотонный характер изменений темновой проводимости и резкое изменение энергии активации фотоиндуцированной генерации дефектов можно описать в предположении о существовании двух различных процессов, каждый из которых связан с изменением концентраций центров двух типов, причем характерные времена и энергии активации процессов существенно различаются. Обсуждаются механизмы наблюдаемых процессов.