ИК фотопроводимость a-Si:H в условиях собственной подсветкистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Измерены спектры ИК фотопроводимости, температурные зависимости стационарной фотопроводимости и люксамперные характеристики (ЛАХ) пленок a-Si:H в интервале температур 350-210К в условиях собственной подсветки. Наблюдались температурное гашение стационарной фотопроводимости и суперлинейный ход люксамперных характеристик, что указывает на наличие двух типов центров рекомбинации в запрещенной зоне. Определены пороговые энергии для ИК фотопроводимости при различных уровнях подсветки и обнаружена корреляция пороговых энергий с положением квазиуровня Ферми для свободных носителей. Обсуждаются вопросы распределения плотности состояний в щели подвижности.