|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Ормонт Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатныхтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Сборник трудов Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
- Тезисы
- Год издания: 2018
- Место издания: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, Санкт-Петербург Санкт-Петербург
- Первая страница: 61
- Последняя страница: 62
- Аннотация: Фотопроводимость нелегированных пленок a-Si:H после их засветки при температуре выше 400 К увеличивается вследствие роста энергии Ферми, что может быть обусловлено образованием фотоиндуцированных дефектов донорного типа в верхней половине запрещенной зоны. Предположено, что такими дефектами могут быть дефекты типа центровой связи водорода Si-H-Si - оборванная связь кремния с H-Si связью. Уменьшение величины параметра гамма люкс-амперных характеристик от значений ~1 в исследованных отожженных пленках a-Si:H до 0.65 в засвеченных пленках может быть обусловлено включением в процесс рекомбинации электронов дополнительного канала - бимолекулярной рекомбинации на урони хвоста зоны проводимости. Показано также, что при этом уменьшение параметра гамма определялось увеличением скорости рекомбинации электронов в засвеченных пленках вследствие включения дополнительного процесса рекомбинации - бимолекулярной рекомбинации на уровнях хвоста зоны проводимости
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна