|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 μm and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2018 г.
- Авторы: Maremyanin K.V., Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Rumyantsev V.V., Chizhevskii E.G., Zasavitskii I.I., Gavrilenko V.I.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 52
- Номер: 12
- Год издания: 2018
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1590
- Последняя страница: 1594
- DOI: 10.1134/s1063782618120163
- Аннотация: On the basis of a Pb1–xSnxSe solid solution, long-wavelength diffusion injection lasers with laser generation up to a record long wavelength of 50.4 μm are created and studied. Pb1–xSnxSe single crystals are grown from the vapor phase under the conditions of free growth (unseeded vapor-growth technique). By the example of a HgCdTe narrow-gap semiconductor and a quantum-well heterostructure, the possibility of applying the developed lasers in solid-state spectroscopy is demonstrated.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович