ИСТИНА

Засавицкий И.И.

Соавторы: Чижевский Е.Г., Bovkun L.S., Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Иконников А.В., Maremyanin K.V., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Antonov A.V., Marem’yanin K.V., Umbetalieva K.R., Горлачук П.В., Лобинцов А.В. показать полностью..., Падалица А.А., Яроцкая И.В., Andreev A.Y., Morozov S.V., Padalitsa A.A., Андреев А.Ю., Бойченко В.Л., Данилов А.И., Зарубин С.С., Зубов А.Н., Кнотько А.В., Косичкин Ю.В., Курнявко Ю.В., Ладугин М.А., Ладугин М.А., Мартовицкий В.П., Морозов С.В., Сапожников Г.В., Сапожников С.М., Селиванов Ю.Г., Симаков В.А., Тарасевич А.П., Телегин К.Ю., Телегин К.Ю., Тункин В.Г.

11 статей, 2 дипломные работы

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 43, Scopus: 44

IstinaResearcherID (IRID): 579465

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grownby MOVPE
    • Ladugin Maxim A., Yarotskaya Irina V., Bagaev Timur A., Telegin Konstantin Yu, Andreev Andrey Yu, Zasavitskii Ivan I., Padalitsa Anatoliy A., Marmalyuk Alexander A.
    • в журнале Crystals, издательство MDPI (Basel, Switzerland), том 9, № 6, с. 305 DOI
  • 
    • 2018 Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 μm and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductors
    • Maremyanin K.V., Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Rumyantsev V.V., Chizhevskii E.G., Zasavitskii I.I., Gavrilenko V.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 52, № 12, с. 1590-1594 DOI
  • • 2018 Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
    • Маремьянин К.В., Иконников А.В., Бовкун Л.С., Румянцев В.В., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 12, с. 1486-1490 DOI
  • • 2017 ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/ALGAAS МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ ДЛЯ КВАНТОВОГО КАСКАДНОГО ЛАЗЕРА
    • Мармалюк А.А., Падалица А.А., Ладугин М.А., Горлачук П.В., Яроцкая И.В., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Лобинцов А.В., Курнявко Ю.В., Сапожников С.М., Данилов А.И., Телегин К.Ю., Симаков В.А., Засавицкий И.И., Зарубин С.С.
    • в журнале Неорганические материалы, том 53, № 9, с. 909-913 DOI
  • 
    • 2016 Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\upmu$m
    • Maremyanin K.V., Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Chizhevskii E.G., Zasavitskii I.I., Gavrilenko V.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 50, № 12, с. 1669-1672 DOI
  • 
    • 2016 КВАНТОВЫЙ КАСКАДНЫЙ ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПАРЫ GAAS/AL0.45GA0.55AS, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
    • Засавицкий И.И., Зубов А.Н., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Падалица А.А., Лобинцов А.В., Сапожников С.М., Мармалюк А.А.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 46, № 5, с. 447-450 DOI
  • • 2016 Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
    • Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Иконников А.В., Бовкун Л.С., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 50, № 12, с. 1697-1700 DOI
  • 
    • 2015 Long-Wavelength Injection Lasers Based on Pb1-xSnxSe Alloys and Their Use in Solid-State Spectroscopy
    • Maremyanin K.V., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Bovkun L.S., Umbetalieva K.R., Chizhevskiy E.G., Zasavitskiy I., Gavrilenko V.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 12, с. 1623-1626 DOI
  • • 2015 Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1-xSnxSe и их использование для спектроскопии твердого тела
    • Маремьянин К.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Бовкун Л.С., Умбеталиева К.Р., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 12, с. 1672-1675
  • • 2010 ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ PB1-XEUXTE И PB1-XSNXTE И ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИX
    • Селиванов Ю.Г., Чижевский Е.Г., Мартовицкий В.П., Кнотько А.В., Засавицкий И.И.
    • в журнале Неорганические материалы, том 46, № 10, с. 1183-1189
  • 
    • 1984 Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера
    • Бойченко В.Л., Засавицкий И.И., Косичкин Ю.В., Тарасевич А.П., Тункин В.Г.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 11, с. 203-205

• Руководство дипломными работами

  • • 2005 Синтез эпитаксиальных слоев PbSe
    • Научные руководители: Засавицкий И.И., Зломанов В.П.
    • Автор: Новоселова А.С. (Специалист)
  • • 1979 Выращивание из пара и некоторые свойства эпитаксиальных слоев Pb1-xSnxSe
    • Научные руководители: Зломанов В.П., Засавицкий И.И., Кашкур И.П.
    • Автор: Игнатенко П.К. (Специалист)