Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Background charge influence on single-electron devices: single-electron transistor and trap
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Presnov D.E.
,
Krupenin V.A.
,
Lotkhov S.V.
Сборник:
Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
Тезисы
Год издания:
1996
Место издания:
Ioffe St.Petersburg, Russia, 24-28 June
Первая страница:
183
Последняя страница:
186
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич